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IRGR3B60KD2TRLP Especificaciones técnicas

IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 52W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 7.8A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 3A, 100 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 211 ns
Gate Charge 13nC
Td (on/off) @ 25°C 18ns/110ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 105ns
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Max Power Dissipation 52W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number IRGR3B60KD2PBF
Qualification Status Not Qualified
Rise Time-Max 22ns
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Reverse Recovery Time 77 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 3A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 15.6A
Switching Energy 62μJ (on), 39μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5.5V
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRGR3B60KD2 IR CIs Calientes Especializados 5164
IRGR3B60KD2 IGBT IR CIs Calientes Especializados 2244
IRGR3B60KD2 MOS IR CIs Calientes Especializados 50390
IRGR3B60KD2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 5226
IRGR3B60KD2PBF Infineon Technologies IGBTs individuales
IRGR3B60KD2TR IR CIs Calientes Especializados 2627
IRGR3B60KD2TRLP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1720
IRGR3B60KD2TRLP Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IRGR3B60KD2TRP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 32363
IRGR3B60KD2TRP Infineon Technologies IGBTs individuales

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