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IRG8CH29K10F Especificaciones técnicas

IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 40ns/245ns
Supplier Device Package Die
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 160nC
Current - Collector (Ic) (Max) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG8CH106K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2501
IRG8CH106K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH10K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2651
IRG8CH10K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH137K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2605
IRG8CH137K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH15K10D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2636
IRG8CH15K10D Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH15K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2673
IRG8CH15K10F Infineon Technologies IGBTs individuales

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