IRG8CH137K10F Especificaciones técnicas

IGBT CHIP WAFER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Test Condition 600V, 150A, 2 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 900 ns
Td (on/off) @ 25°C 115ns/570ns
VCEsat-Max 2 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2015
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XXUC-N
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 150A
Gate Charge 820nC
Gate-Emitter Voltage-Max 30V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRG8CH106K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2501
IRG8CH106K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH10K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2651
IRG8CH10K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH137K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2605
IRG8CH15K10D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2636
IRG8CH15K10D Infineon Technologies IGBTs individuales
IRG8CH15K10F International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2673
IRG8CH15K10F Infineon Technologies IGBTs individuales
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