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IRG8CH20K10F
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IRG8CH20K10F Especificaciones técnicas
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Power - Max | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 20ns/170ns |
Supplier Device Package | Die |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 90nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
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Hojas de datos
IRG8CH20K10F.pdf
Otros incluyen "IRG8C" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRG8C'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRG8CH106K10F | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2501 |
IRG8CH106K10F | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8CH10K10F | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2651 |
IRG8CH10K10F | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8CH137K10F | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2605 |
IRG8CH137K10F | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8CH15K10D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2636 |
IRG8CH15K10D | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IRG8CH15K10F | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2673 |
IRG8CH15K10F | Infineon Technologies | IGBTs individuales |
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