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IRFB812PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFB8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB812 IR CIs Calientes Especializados 456
IRFB812PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFB812PBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5421
IRFB812TRPBF VB CIs Calientes Especializados 5000

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