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IRFB812PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 78W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ω @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 2.2Ohm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 78W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A Tc
Rise Time 22ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Recovery Time 110 ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFB812PBF Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFB8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB812 IR CIs Calientes Especializados 456
IRFB812PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5040
IRFB812PBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5421
IRFB812TRPBF VB CIs Calientes Especializados 5000

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