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IRF9952QTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF9910 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2291
IRF9910 Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF9910PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 33663
IRF9910PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF9910PBF Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
IRF9910PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 14232
IRF9910TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2724
IRF9910TR Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF9910TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 65472
IRF9910TRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs

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