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IRF9520NLPBF
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IRF9520NLPBF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-262 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRF95'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF9510 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1352 |
IRF9510 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 73968 |
IRF9510L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2765 |
IRF9510L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2719 |
IRF9510NPBF | IR | CIs Calientes Especializados | 5500 |
IRF9510PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3326 |
IRF9510PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3100 |
IRF9510PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRF9510S | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22300 |
IRF9510S | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22300 |
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