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IRF9510PBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF9510 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1352
IRF9510 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 73968
IRF9510L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2765
IRF9510L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2719
IRF9510NPBF IR CIs Calientes Especializados 5500
IRF9510PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3100
IRF9510PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRF9510S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22300
IRF9510S Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22300
IRF9510S MOS IR CIs Calientes Especializados 461

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