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IRF6716MTR1PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Ta), 180A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6702M2DTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6702M2DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2556
IRF6702M2DTRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6706S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
IRF6706S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IRF6708S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
IRF6708S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IRF6709S2TR IR CIs Calientes Especializados 5187
IRF6709S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 891

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