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IRF6702M2DTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
Power - Max 2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case DirectFET™ Isometric MA
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6702M2DTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2580
IRF6702M2DTR1PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6702M2DTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2556
IRF6706S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2663
IRF6706S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IRF6708S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2695
IRF6708S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2634
IRF6709S2TR IR CIs Calientes Especializados 5187
IRF6709S2TR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 891
IRF6709S2TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1079

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