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IRF5305STRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
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Otros incluyen   "IRF53"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF53' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90290
IRF530 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2347
IRF530 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90384
IRF530 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRF5305 IR CIs Calientes Especializados 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3316
IRF5305LPBF. IR CIs Calientes Especializados 2716
IRF5305P IRF CIs Calientes Especializados 31
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