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IRF1010EZSPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 51A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF1008TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 298
IRF100B102 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25272
IRF100B102PBF International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 25256
IRF100B201 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20262
IRF100B201 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF100B201 IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10343
IRF100B201PBF IR CIs Calientes Especializados 2591
IRF100B202 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5430
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