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IXTV22N50P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 350W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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IXTV22N50P Documentos

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Otros incluyen   "IXTV2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTV2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTV200N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2632
IXTV200N10TS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2673
IXTV22N50PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2542
IXTV22N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
IXTV22N60PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
IXTV230N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
IXTV230N085TS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
IXTV250N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2638
IXTV250N075TS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
IXTV26000UUB KDS CIs Calientes Especializados 2716

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