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IPP530N15N3GXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 887pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Detailed Description N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP530N15N3 G IPP530N15N3 G-ND IPP530N15N3G SP000521722
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Otros incluyen   "IPP53"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPP53' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPP530N15N3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363
IPP530N15N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22827
IPP530N15N3 G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5358
IPP530N15N3G INFINEO CIs Calientes Especializados 315
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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