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IPP530N15N3 G
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IPP530N15N3 G Especificaciones técnicas
IPP530N15N3 G Infineon Technologies
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IPP53" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP53'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP530N15N3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 32363 |
IPP530N15N3 G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5358 |
IPP530N15N3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 315 |
IPP530N15N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
IPP530N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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