IPP100N04S2L03AKSA2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPP100N04S2-04 VB CIs Calientes Especializados 50347
IPP100N04S204AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IPP100N04S204AKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2625
IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP100N04S2L Original CIs Calientes Especializados 1292
IPP100N04S2L-03 VB CIs Calientes Especializados 32863
IPP100N04S2L03AKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2716
IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP100N04S2L03AKSA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPP100N04S3-03 I CIs Calientes Especializados 77529

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