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IPP100N04S2L03AKSA1
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IPP100N04S2L03AKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3m Ω @ 80A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 51ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 77 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Height | 15.95mm |
Width | 4.57mm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 810 mJ |
Length | 10.36mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPP10" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPP10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPP100N04S2-04 | VB | CIs Calientes Especializados | 50347 |
IPP100N04S204AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2576 |
IPP100N04S204AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2625 |
IPP100N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP100N04S2L | Original | CIs Calientes Especializados | 1292 |
IPP100N04S2L-03 | VB | CIs Calientes Especializados | 32863 |
IPP100N04S2L03AKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2716 |
IPP100N04S2L03AKSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2592 |
IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPP100N04S3-03 | I | CIs Calientes Especializados | 77529 |
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