IPN60R600P7SATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 7W (Tc)
Package / Case SOT-223-3
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 1.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPN60R600P7SATMA1-ND IPN60R600P7SATMA1TR SP001681930
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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IPN60R1K0CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2637
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPN60R1K5CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPN60R2K1CE INF CIs Calientes Especializados 5355
IPN60R2K1CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5483
IPN60R360P7SATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2549
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