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IPN60R360P7SATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-261-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 2.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 9A
Drain-source On Resistance-Max 0.36Ohm
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 7W Tc
Power Dissipation 7W
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 140μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 1.8mm
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Las siguientes partes incluyen  'IPN60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPN60R1K0CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2637
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPN60R1K5CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2620
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPN60R2K1CE INF CIs Calientes Especializados 5355
IPN60R2K1CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5483
IPN60R360P7SATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2549
IPN60R3K4CE International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 53000
IPN60R3K4CE MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 12752
IPN60R3K4CEATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2704

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