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IPD13N03LA G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.8 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1043pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Otros incluyen   "IPD13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD135N03L INFINEO CIs Calientes Especializados 5393
IPD135N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46080
IPD135N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 105749
IPD135N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2922
IPD135N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2727
IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD135N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
IPD135N03LGXT International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793
IPD135N08N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2054
IPD135N08N3G I CIs Calientes Especializados 9520

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