IPD135N03L G Especificaciones técnicas

IPD135N03L G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IPD135N03L G Documentos

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Otros incluyen   "IPD13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD135N03L INFINEO CIs Calientes Especializados 5393
IPD135N03LG INFINEO CIs Calientes Especializados 105749
IPD135N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2922
IPD135N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2727
IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD135N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
IPD135N03LGXT International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793
IPD135N08N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 2054
IPD135N08N3G I CIs Calientes Especializados 9520
IPD135N08N3G 135N08N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 589

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