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IPD100N06S403ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD100N06S403ATMA1

Otros incluyen   "IPD10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPD10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD100N04S4-02 INFINEO CIs Calientes Especializados 1885
IPD100N04S4-02 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 50436
IPD100N04S402ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16731
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD100N04S4L02ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2605
IPD100N06S4-03 I CIs Calientes Especializados 61253
IPD100N06S4-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10285
IPD100N06S403ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2609
IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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