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IPD100N06S403ATMA2
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IPD100N06S403ATMA2 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Height | 2.5mm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 3.949996g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 150W Tc |
Power Dissipation | 150W |
Turn On Delay Time | 30 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5m Ω @ 100A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 40 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD100N06S403ATMA2 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IPD100N06S403ATMA2
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IPD10" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPD10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPD100N04S4-02 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 1885 |
IPD100N04S4-02 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 50436 |
IPD100N04S402ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16731 |
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPD100N04S4L02ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2605 |
IPD100N06S4-03 | I | CIs Calientes Especializados | 61253 |
IPD100N06S4-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 10285 |
IPD100N06S403ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2574 |
IPD100N06S403ATMA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2609 |
IPD105N03L G | INFINE0 | CIs Calientes Especializados | 104583 |
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Misceláneo
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