IPD100N06S403ATMA2 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 60V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Height 2.5mm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 150W Tc
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 30 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPD100N04S4-02 INFINEO CIs Calientes Especializados 1885
IPD100N04S4-02 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 50436
IPD100N04S402ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16731
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD100N04S4L02ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2605
IPD100N06S4-03 I CIs Calientes Especializados 61253
IPD100N06S4-03 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10285
IPD100N06S403ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2574
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IPD105N03L G INFINE0 CIs Calientes Especializados 104583

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