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IPB35N10S3L26ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 39µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.3 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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Otros incluyen   "IPB35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB35CN10NG VB CIs Calientes Especializados 1000
IPB35N10S3L-26 VB CIs Calientes Especializados 13766
IPB35N10S3L-26 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1289
IPB35N10S3L-26(3N10L26) INFINEON CIs Calientes Especializados 2551
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IPB35N10S3L26ATMA1 fabricantes de marca: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip existencias, IPB35N10S3L26ATMA1 precio de referencia. IPB35N10S3L26ATMA1 parámetros, IPB35N10S3L26ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB35N10S3L26ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB35N10S3L26ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB35N10S3L26ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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