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IPB35N10S3L26ATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 71W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 39μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0322Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.3m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 35A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 140A
Avalanche Energy Rating (Eas) 175 mJ
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Las siguientes partes incluyen  'IPB35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB35CN10NG VB CIs Calientes Especializados 1000
IPB35N10S3L-26 VB CIs Calientes Especializados 13766
IPB35N10S3L-26 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1289
IPB35N10S3L-26(3N10L26) INFINEON CIs Calientes Especializados 2551
IPB35N10S3L26ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2725
IPB35N12S3L26ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2615
IPB35N12S3L26ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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IPB35N10S3L26ATMA1 fabricantes de marca: Infineon Technologies, Bonchip existencias, IPB35N10S3L26ATMA1 precio de referencia. IPB35N10S3L26ATMA1 parámetros, IPB35N10S3L26ATMA1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IPB35N10S3L26ATMA1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IPB35N10S3L26ATMA1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IPB35N10S3L26ATMA1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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