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IPB038N12N3 G Especificaciones técnicas

IPB038N12N3 G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 60V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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IPB038N12N3 G Documentos

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Otros incluyen   "IPB03"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
IPB030N08N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1544
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IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IPB031NE7N3G INF CIs Calientes Especializados 619
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