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IPB030N08N3GATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 80V 160A 7-Pin(6+Tab) TO-263 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 214W Tc
Power Dissipation 214W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.003Ohm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 7
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 79ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Threshold Voltage 2.8V
Max Dual Supply Voltage 80V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "IPB03"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IPB03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
IPB030N08N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1544
IPB030N08N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1378
IPB031N08N5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 16928
IPB031NE7N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 18802
IPB031NE7N3G INF CIs Calientes Especializados 619
IPB031NE7N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15824
IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB032N10N5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2136

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