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IPB035N08N3 G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
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