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IPB034N03LGATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names IPB034N03LGATMA1DKR IPB034N03LGINDKR IPB034N03LGINDKR-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPB03' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
IPB030N08N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1544
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IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IPB031NE7N3 G INFINEON CIs Calientes Especializados 18802
IPB031NE7N3G INF CIs Calientes Especializados 619
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