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IPB032N10N5ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 125µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 187W (Tc)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 166A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 83A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SP001607808
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6970pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB030N08N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9367
IPB030N08N3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 68
IPB030N08N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1544
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IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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IPB031NE7N3G INF CIs Calientes Especializados 619
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