IKD06N60RAATMA1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 12A 100W TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Switching Energy 110µJ (on), 220µJ (off)
Series TrenchStop™
Power - Max 100W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/127ns
Supplier Device Package PG-TO252-3
Reverse Recovery Time (trr) 68ns
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 48nC
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IKD06N60R International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1317
IKD06N60R Infineon Technologies IGBTs individuales
IKD06N60RA infineon CIs Calientes Especializados 12964
IKD06N60RA IKD06N60R MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 30399
IKD06N60RA K06R60A International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 721
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IKD06N60RAATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2609
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