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IKD06N60RATMA1
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IKD06N60RATMA1 Especificaciones técnicas
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin TO-252 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 100W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 100W |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2.1V |
Reverse Recovery Time | 68 ns |
Max Breakdown Voltage | 600V |
Test Condition | 400V, 6A, 23 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 335 ns |
Gate Charge | 48nC |
Td (on/off) @ 25°C | 12ns/127ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | TrenchStop™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 12A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 22 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 18A |
Switching Energy | 110μJ (on), 220μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 5.7V |
IKD06N60RATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IKD06N60RATMA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "IKD06" partes
Las siguientes partes incluyen 'IKD06'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IKD06N60R | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 1317 |
IKD06N60R | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IKD06N60RA | infineon | CIs Calientes Especializados | 12964 |
IKD06N60RA IKD06N60R MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 30399 |
IKD06N60RA K06R60A | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 721 |
IKD06N60RAATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 7641 |
IKD06N60RAATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IKD06N60RAATMA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2609 |
IKD06N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IKD06N60RATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2702 |
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