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FF11MR12W1M1B11BOMA1
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Series | CoolSiC™ |
Power - Max | 20mW |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | Module |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 100A, 15V |
Packaging | Tray |
Other Names | FF11MR12W1M1_B11 SP001602204 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs |
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