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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones técnicas

FF11MR12W1M1B11BOMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Manufacturer Package Identifier AG-EASY1BM-2
Packaging Tray
Series CoolSiC™+
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11m Ω @ 100A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 800V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
Continuous Drain Current (ID) 100A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 12.35mm
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 18
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X18
Number of Channels 2
Power Dissipation 20mW
Turn On Delay Time 25.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V
Turn-Off Delay Time 64.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2652

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