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BSZ068N06NSATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ0602LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5407
BSZ0602LS 0602LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 538
BSZ060NE2L International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 160
BSZ060NE2LS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 129854
BSZ060NE2LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2602
BSZ060NE2LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ065N03LS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 69419
BSZ065N03LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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