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BSZ060NE2LSATMA1
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BSZ060NE2LSATMA1 Especificaciones técnicas
BSZ060NE2LSATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | S-PDSO-N3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 20A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A Ta 40A Tc |
Rise Time | 2.2ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 11 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Max Dual Supply Voltage | 25V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 26W Tc |
Power Dissipation | 2.1W |
Turn On Delay Time | 2.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 1.8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 12A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
BSZ060NE2LSATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSZ060NE2LSATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSZ06" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSZ06'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSZ0602LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5407 |
BSZ0602LS 0602LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 538 |
BSZ060NE2L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 160 |
BSZ060NE2LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 129854 |
BSZ060NE2LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2602 |
BSZ065N03LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 69419 |
BSZ065N03LSATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2780 |
BSZ065N03LSATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ065N03LSG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 535 |
BSZ065N06L | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 474 |
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