BCR503E6393HTSA1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 330mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCR503 INFINEON CIs Calientes Especializados 128396
BCR503 E6327 SOT23 CIs Calientes Especializados 12000
BCR503 E6327 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 36425
BCR503 E6327/XAs International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2730
BCR503 E6393 INFINEON CIs Calientes Especializados 6000
BCR503E6327 INF CIs Calientes Especializados 300000
BCR503E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2534
BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
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