BCR503E6393HTSA1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP SOT23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 330mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 100MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Part Status Last Time Buy
Max Power Dissipation 330mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BCR50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCR503 INFINEON CIs Calientes Especializados 128396
BCR503 E6327 SOT23 CIs Calientes Especializados 12000
BCR503 E6327 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 36425
BCR503 E6327/XAs International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2730
BCR503 E6393 INFINEON CIs Calientes Especializados 6000
BCR503E6327 INF CIs Calientes Especializados 300000
BCR503E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2534
BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR503E6393HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2525
BCR505 INFINEO CIs Calientes Especializados 17670

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