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AIHD04N60RATMA1 Especificaciones técnicas

IC DISCRETE 600V TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 4A, 43 Ohm, 15V
Switching Energy 90µJ (on), 150µJ (off)
Power - Max 75W
Other Names SP001346862
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 39 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 27nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Td (on/off) @ 25°C 14ns/146ns
Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AIHD03N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2509
AIHD03N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD04N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2679
AIHD04N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD06N60RATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2644
AIHD06N60RATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD06N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2648
AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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