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AIHD03N60RFATMA1 Especificaciones técnicas

IC DISCRETE 600V TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 2.5A, 68 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 7.5A
Switching Energy 50μJ (on), 40μJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 53.6W
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 2.5A
Gate Charge 17.1nC
Td (on/off) @ 25°C 10ns/128ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AIHD03N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2509
AIHD04N60RATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2769
AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD04N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2679
AIHD04N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD06N60RATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2644
AIHD06N60RATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
AIHD06N60RFATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2648
AIHD06N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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