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SIGC81T60NCX7SA2 Especificaciones técnicas

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die
Part Status Last Time Buy
Input Type Standard
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 100A, 2.2Ohm, 15V
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 95ns/200ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIGC81T60NCX1SA3 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60NCX1SA5 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60NCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60SNCX1SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60SNCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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