SIGC81T60NCX1SA3 Especificaciones técnicas

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A Wafer

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 10
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application POWER CONTROL
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Test Condition 300V, 100A, 2.2 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 235 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-XUUC-N10
Number of Elements 1
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Turn On Time 125 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 95ns/200ns
Lead Free Lead Free
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SIGC81T60NCX1SA5 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60NCX7SA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
SIGC81T60NCX7SA2 Infineon Technologies IGBTs individuales
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