IRG7T300HF12B Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 570A POWIR 62

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 62 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 570A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 42.4nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Power Dissipation 1.6kW
Power - Max 1600W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 4mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 300A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 42.4nF @ 25V
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IRG7T100HF12A Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG7T100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2625
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