IRG7T100HF12A Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 200A POWIR 34

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Chassis Mount
Package / Case POWIR® 34 Module
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 575W
Power - Max 575W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Configuration Half Bridge
Input Standard
Max Collector Current 200A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Input Capacitance 13.7nF
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
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IRG7T100HF12A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2582
IRG7T100HF12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2625
IRG7T100HF12B Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG7T150CH12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2503
IRG7T150CH12B Infineon Technologies Módulos IGBT
IRG7T150CL12B International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2604
IRG7T150CL12B Infineon Technologies Módulos IGBT
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