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IRFR120NTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 210mOhm
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 48W Tc
Power Dissipation 39W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A Tc
Rise Time 23ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 150 ns
Drain to Source Resistance 210mOhm
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
Part Status Active
Termination SMD/SMT
Max Operating Temperature 175°C
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 9.1A
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 4.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 5.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Input Capacitance 330pF
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Rds On Max 210 mΩ
Height 2.52mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFR120NTRPBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFR1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFR1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR1010E I CIs Calientes Especializados 10500
IRFR1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 304
IRFR1010Z MOS IR CIs Calientes Especializados 2706
IRFR1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3249
IRFR1010ZPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRL IR CIs Calientes Especializados 2734
IRFR1010ZTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5252
IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5213
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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