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IRFR1010Z Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRFR1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR1010E I CIs Calientes Especializados 10500
IRFR1010Z MOS IR CIs Calientes Especializados 2706
IRFR1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3249
IRFR1010ZPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRL IR CIs Calientes Especializados 2734
IRFR1010ZTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5252
IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5213
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 509

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