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IRFR1205TRPBF Especificaciones técnicas

IRFR1205TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 37A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 107W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Dual Supply Voltage 55V
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 27mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 69W
Turn On Delay Time 7.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A Tc
Rise Time 69ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Recovery Time 98 ns
Height 2.3876mm
Width 6.8mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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IRFR1205TRPBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFR1205TRPBF

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "IRFR1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFR1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR1010E I CIs Calientes Especializados 10500
IRFR1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 304
IRFR1010Z MOS IR CIs Calientes Especializados 2706
IRFR1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3249
IRFR1010ZPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRL IR CIs Calientes Especializados 2734
IRFR1010ZTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5252
IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR1010ZTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5213
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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