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IRF9540NPBF Especificaciones técnicas
IRF9540NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Voltage - Rated DC | -100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 250 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 140W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A Tc |
Rise Time | 67ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 51 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -23A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | -100V |
Dual Supply Voltage | -100V |
Nominal Vgs | -4 V |
Length | 10.5156mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1998 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 117mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -23A |
Lead Pitch | 2.54mm |
Power Dissipation-Max | 140W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 51 ns |
Threshold Voltage | -4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 76A |
Recovery Time | 220 ns |
Height | 15.24mm |
Width | 4.69mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRF9540NPBF Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF9540NPBF
-
Hojas de datos
Otros incluyen "IRF95" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF95'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF9510 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1352 |
IRF9510 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 73968 |
IRF9510L | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2765 |
IRF9510L | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2719 |
IRF9510NPBF | IR | CIs Calientes Especializados | 5500 |
IRF9510PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3326 |
IRF9510PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3100 |
IRF9510PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRF9510S | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22300 |
IRF9510S | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22300 |
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