IRF8707TRPBF Especificaciones técnicas

IRF8707TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 11.9MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 53 mJ
Nominal Vgs 1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 6.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta
Rise Time 7.9ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7.3 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF8707 IOR CIs Calientes Especializados 192050
IRF8707GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10506
IRF8707GPBF F8707G IR CIs Calientes Especializados 547
IRF8707GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26153
IRF8707GTRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8707GTRPBF IC IR CIs Calientes Especializados 670
IRF8707GTRPBF MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16214
IRF8707GTRPBF. IR CIs Calientes Especializados 10554
IRF8707HTRPBF IR CIs Calientes Especializados 1963
IRF8707PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2506

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